在半导体生产过程中，由于大量使用含氟化合物，如蚀刻工艺中使用氢氟酸、清洗步骤采用含氟清洗剂等，导致产生的废水中氟离子浓度较高。若未经有效处理直接排放，会对环境和人体健康造成严重危害。因此，半导体废水除氟工艺至关重要。

一、预处理阶段

（一）收集与均质化

首先对含氟废水进行收集，依据废水来源与特性，可选用集中或分散收集方式。收集时，尽可能减少杂质与悬浮物，降低后续处理难度。之后进行均质化处理，确保废水成分稳定，为后续工序顺利开展奠定基础。

（二）pH 调节与絮凝沉淀

调节废水 pH 值，使氟离子以更利于处理的形态存在。通常加入碱性物质，如氢氧化钙，将 pH 值调整至合适范围。同时，加入絮凝剂，如聚合氯化铝（PAC）和聚丙烯酰胺（PAM）。絮凝剂促使悬浮颗粒和部分氟化物凝聚、沉淀，通过沉淀分离去除废水中的悬浮物和胶体物质，初步降低氟离子浓度。

二、主要处理阶段

（一）化学沉淀法

向预处理后的废水中加入氯化钙等化学试剂，氟离子与钙离子反应生成氟化钙沉淀物，通过固液分离去除大部分氟离子。反应方程式为：Ca²⁺ + 2F⁻ = CaF₂↓ 。由于氟化钙在常温下有一定溶解度，单纯化学沉淀法处理后氟离子浓度难以达到较低水平。

（二）离子交换法

利用专用阴离子交换树脂吸附废水中氟离子。当树脂吸附饱和后，采用再生剂使其恢复活性，实现连续处理。离子交换法能深度去除氟离子，但树脂成本较高，再生过程复杂且会产生一定二次污染。

（三）吸附法

采用羟基磷灰石、活性氧化镁、活性氧化铝等吸附材料吸附氟离子。这些吸附剂具有较大比表面积和特殊官能团，对氟离子有较强吸附能力。吸附法操作简便、去除效果较好，但吸附剂吸附容量有限，需定期更换或再生。

三、深度处理阶段

若对出水水质要求极高，经主要处理阶段后还需深度处理。可采用膜分离技术，如反渗透（RO）、纳滤（NF）。膜分离技术通过特定膜材料物理隔离氟离子和其他污染物，实现废水深度净化，能将氟离子浓度降至极低水平。不过，膜分离技术存在膜易污染、运行成本高的问题。还可结合高级氧化技术，如臭氧氧化、过氧化氢氧化，进一步去除废水中残留氟离子和其他污染物，提高水质。半导体废水除氟需综合运用多种工艺，根据实际水质和处理要求，合理选择与组合，才能实现氟离子高效去除，确保废水达标排放或回用。